存儲芯片測試方案

發表時間:2025-07-01 16:53

存儲芯片,又稱為存儲器,是指利用電能方式存儲信息的半導體介質設備,其存儲與讀取過程體現為電子的存儲或釋放,廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域,是應用面廣、市場比例高的集成電路基礎性產品之一。存儲芯片對于大數據、云計算及物聯網等各個領域的應用都是不可被取代的重要元件。 據WSTS統計,目前全球存儲芯片市場規模已超過4000億美元,預計到2023年,全球市場規模有望超過1萬億,中國的市場規模將會達到6500億美元,占到全球市場的60%左右。存儲芯片主要分為易失性存儲和非易失性存儲。易失性存儲芯片主要是內存類型,如DRAM、SDRAM等。非易失性存儲包括EERPOM、NOR Flash、NAND Flash等。目前,市場上主流存儲芯片測試機基本被美系、日系廠商所把持,其測試設備售價超百萬美元,對于普遍測試時間很長的存儲芯片來說,成本壓力巨大。

加速科技具有完全自主知識產權國產250MBps髙性能數字混合信號測試機,對于市場上EEPROM、中小容量NOR Flash,及嵌入式存儲器有著良好的支持。適合DIO通道與電源、高壓源配比及模塊化的資源,使得多site擴展簡便易行。高容量向量深度,可滿足中小容量存儲芯片的存儲功能測試。系統、各模塊間高速通信帯寬,算法硬件調度,可有效提升測試效率。

系統優勢

  • 125MHz測試頻率,數據速率250Mbps

  • DIO通道與電源、高壓源1: 8配比,滿足存儲芯片多工位測試需求,高壓源13.5V,滿足芯片編程需要

  • 測試資源模塊化,易于多工位擴展,最大支持160工位8管腳芯片同時測試

  • 上位機、主控及業務板間40Gbps通信,算法完全硬件調度,有效提升測試效率

  • 底層算法可根據客戶需求定制,支持高速存儲芯片如NAND Flash,DDR系統級測試方案開發

存儲芯片測試方案


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